毕竟原先的芯片都是在一块晶圆上批量制造的，核心面积越大，可能产生的缺陷便越多。

如此一来，芯片的良率就会减少，制造成本会增加许多。

厂家想了很多的办法，比如屏蔽部分有缺陷的核心，分为3，5，7，9系列，分等级来卖，以减少损失。

他们更愿意升级芯片的制程或者架构，而不是增加核心面积。

当然，在制程和架构达到瓶颈的时候，增加核心面积便是不得不做的事情了。

E+级通用芯片便是如此。

好在林鸣是用3d金属打印机来制造通用芯片，无需考虑良率的问题。

“3d金属打印机-II型，切换生产计划，全面生产E+级通用芯片！”

林鸣下达了制造命令。

十分钟以后，一块E+级通用芯片被制造了出来。

经过测试，林鸣发现，E+级通用芯片的运算能力翻了十倍，每小时消耗的电能变成了2单位。

由于巨大的发热，E+级通用芯片需要在工作的时候进行持续的冷却，否则会有烧坏的风险。

“风冷是不合适了，直接上水冷吧！”

林鸣让D级碳基生物计算机开始设计水冷管路。

由于陨石坑内动辄七八十度的地表温度，因此只增加水冷系统是没有用的。

林鸣又让移动式微型工厂构造体制造了一个玻璃车间，专门用来存放E+级通用芯片，成为一个计算枢纽。

在这个机房中，由生命维持系统进行温度调节，将温度尽可能降低到0度上下。

如此一来，水冷散热系统便可以发挥最大的功效，避免E+级通用芯片烧坏。

“啧，每小时耗电20单位！”

看到计算枢纽维持温度所需要的电能消耗，林鸣口中啧啧。

这还是E+级通用芯片没有开始工作的情况下。

到时候E+级通用芯片数量多了起来，同时工作产生的废热，很可能会导致散热所需的电耗翻上几十倍！

“还好现在一号车间正在批量生产太阳能电池板，这点能耗还支撑地起！”

既然E+级通用芯片已经开始制造，林鸣下达了命令：“用E+级通用芯片逆向研究离子电浆枪！”

以太晶石这回提示，逆向研究所需的时间减少到了1年。

“只要3d金属打印机持续制造E+级通用芯片加入逆向研究队列，逆向研究应该会在两天内完成！”